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 為了提供更好的服務，誠摯的邀請您回饋使用本中心儀器後的研究論文與成果貢獻，本中心將會提供您回饋的積點制度：每累積一次積點，將可享優先受測一次的優惠，積點若超過一次則以此類推。若要回饋您寶貴的訊息，敬請連絡本中心，本中心將即刻為您處理。
國立中央大學貴重儀器使用中心目前以材料鑒定、化學分析、半導體製程及通訊系統等四大領域為主軸，共計有九部儀器設備提供校內、外單位之良好服務如下： |
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儀器性能： |
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| 1. |
解析度︰格子像 ( Lattice Image )︰0.14nm、粒子像 ( Point Image )︰0.19nm |
| 2. |
試片座傾斜度︰±25° |
| 3. |
加速電壓：80~200KV |
| 4. |
放大倍率︰50~1.5M |
| 5. |
電子槍系統：LaB6 燈絲 |
| 6. |
電子束直徑：最小0.5nm |
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服務項目： |
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| 1. |
材料表面組織、斷面、微細組織、晶體結構及缺陷觀察分析 |
| 2. |
全能譜定性(原子序B5~U92)及半定量分析(含EDS、Mapping、Linescan) |
| 3. |
電子繞射晶像判定 |
| 4. |
數位影像系統，可作數位影像擷取及分析 |
| 5. |
利用離子減薄機、凹片機供使用者薄化各種試片 |
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樣本準備需知：(本機台不受理磁性、高分子、有機物等樣品) |
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| 1. |
粉末採用鍍碳銅網200~300mesh,D:3mm |
| 2. |
材料薄化者厚度 1000nm,D:3mm |
| 3. |
試片製作由使用者自理 |
| 4. |
樣品須乾燥，在真空無揮發性 |
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收費標準： |
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| 1. |
TEM十繞射：3,000/時段 ( 操作以三小時為一時段計 ) |
| 2. |
持有執照：2,000元/時段( 操作以三小時為一時段計 ) |
| 3. |
EDS+Mapping+Linescan：1,500元/時段( 操作以三小時為一時段計 ) |
| 4. |
持有執照： 500元/時段( 操作以三小時為一時段計 ) |
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儀器負責人員連絡方式： |
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| 儀器專家：李勝隆教授 (03) 4227151~34325 |
| 儀器專家：鄭紹良副教授 (03) 4227151~34233 |
| 技術人員：翁淑珍小姐 (03) 4227151~34009 |
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儀器放置地點： |
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中央大學工程五館 A114 室 |
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儀器性能： |
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| 1. |
解析度︰格子像 ( Lattice Image )︰0.14nm、粒子像 ( Point Image )︰0.28nm |
| 2. |
試片座傾斜度︰±45° |
| 3. |
加速電壓：80~200KV |
| 4. |
放大倍率︰50~800K |
| 5. |
電子槍系統：LaB6orW 燈絲 |
| 6. |
電子束直徑：1μm~2nm |
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服務項目： |
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| 1. |
材料表面組織、斷面、微細組織、晶體結構及缺陷觀察分析 |
| 2. |
全能譜定性(Na11~U92)及半定量分析 |
| 3. |
電子繞射晶像判定 |
| 4. |
利用離子減薄機、凹片機供使用者薄化各種試片 |
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樣本準備需知： |
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| 1. |
粉末採用鍍碳銅網 200~300mesh,D:3mm |
| 2. |
材料薄化者厚度 1000nm,D:3mm |
| 3. |
試片製作由使用者自理 |
| 4. |
樣品須乾燥，在真空無揮發性 |
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收費標準： |
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| 1. |
TEM十EDS：800/小時 ( 操作以三小時為一單位計 ) |
| 2. |
持有執照：300元/小時 ( 操作以三小時為一單位計 ) |
| 3. |
照片：100元/張 |
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儀器負責人員連絡方式： |
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| 儀器專家：李勝隆教授 (03) 4227151~34325 |
| 儀器專家：鄭紹良副教授 (03) 4227151~34233 |
| 技術人員：翁淑珍小姐 (03) 4227151~34009 |
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儀器放置地點： |
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中央大學工程五館 A114 室 |
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儀器性能： |
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服務項目： |
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| 1. |
1H，13C，29Si， 27Al，23Na，119Sn，11B，2H，7Li，51V，71Ga 等。 |
| 2. |
2D 光譜。 |
| 3. |
變溫實驗。 |
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樣本準備需知： |
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需粉末狀，約 0.3 至 0.5 克，視比重而定。若非粉末，需弄成大小相同之細小顆粒 ( 因需高旋轉，均勻度要夠)。 |
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收費標準： |
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| 1. |
One pulse，半小時內 400 元，超過十分鐘加收 100 元 |
| 2. |
去氫偶極實驗，半小時內 400 元，超過十分鐘加收 100 元 |
| 3. |
T1 and T2 measurements，半小時內 400 元，超過十分鐘加收 100 元 |
| 4. |
交叉極化實驗 CP/MAS，半小時內 400 元，超過十分鐘加收 100 元 |
| 5. |
變溫實驗，每一溫度加收 200 元 |
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儀器放置地點： |
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中央大學科四館 207 |
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儀器性能： |
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| 1. |
可佈植 Mg、Zn、H、P、C、N、O … 等。 |
| 2. |
劑量約為 1011-10 Tons/cm2 |
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服務項目： |
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可佈植 GaAs、InP、 Si、GaN 等半導體晶片，最大面積為 4 吋；離子束電流範圍：100nA - 400μA；佈植能量範圍: 單價離子為 10 KeV - 200KeV，而兩價離子最高能量可達 400KeV；佈植劑量：1×1011 ions/cm2 - 1×1016 ions/ cm2。目前已有的離子源為 P+、Be+ 、Mg+ 、Zn+ 、Si+ 、H+ 、O+ 、C+ 、Ar+ 及N+ 等。 |
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樣本準備需知： |
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晶片可破片，但需小於 4” |
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收費標準： |
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| 1. |
研究單位 0.782/秒 |
| 2. |
其他單位 0.982/秒 |
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儀器放置地點： |
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中央大學光電中心 |
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儀器性能： |
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| 1. |
LV-SEM主體：在一般及低真空下 ( 1-270 pa ) 對表面及立體結構之觀察及照相 |
| 2. |
鍍金 ( 碳 ) 機：在樣品表面鍍導電金膜碳膜 |
| 3. |
EDS 系統：分析樣品之元素 ( B-U ) |
| 4. |
EBSD 系統：決定樣品中知小區域晶體結構 |
| 5. |
冷凍樣品座：快速冷凍樣品及 in-situ 鍍膜用 |
| 6. |
樣品加熱座：in-situ 樣品加熱 |
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服務項目： |
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| 1. |
SEM ( SEI,BEI ) |
| 2. |
EDS 全能譜 |
| 3. |
EDS Mapping |
| 4. |
EDS Line-scan |
| 5. |
EDS元素半定量分析 |
| 6. |
鍍金 ( 碳 ) |
| 7. |
Cryogenic Stage |
| 8. |
Heating Stage |
| 9. |
EBSD Analysis |
| 10. |
Low Vacuum 觀察 |
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樣本準備需知： |
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| 1. |
樣品面積高＜1cm，直徑＜2cm |
| 2. |
樣品如為粉末狀，須先處理過 ( 熱鑲、壓塊、濾紙過濾 … 等 ) |
| 3. |
使用者第一次預約須與管理員討論樣品處理問題 |
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收費標準： |
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| 1. |
SEM 觀察，每時段 ( 三小時 ) 2400元 |
| 2. |
EDS 全能譜，每張 500 元 |
| 3. |
EDS Mapping，每次 1000 元 |
| 4. |
EDS Line-scan，每次 500 元 |
| 5. |
EDS 元素半定量分析每次 1000 元 |
| 6. |
鍍金 ( 碳 )，每批 600 元 |
| 7. |
Cryogenic Stage，每次 1000 元 |
| 8. |
Heating Stage，每 1000 元 |
| 9. |
EBSD Analysis，每一區域每次 2000 元 |
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儀器放置地點： |
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中大工程五館 1F 電顯室 |
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儀器性能： |
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| 1. |
UltraShield magnet/shim |
| 2. |
RF section |
| 3. |
multlink HPPR preamplifier system |
| 4. |
digital control and acquistion system |
| 5. |
digital quadrature detection |
| 6. |
multinuclear transmitter system |
| 7. |
variable temperature unit |
| 8. |
BBO BB probe with ATM |
| 9. |
Dual inverse HRMAS probe |
| 10. |
software-XWINNMR |
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服務項目： |
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| 1. |
化學感應材料。對象以有機分子及高分子為主。 |
| 2. |
從事新合成材料的結構鑑定研究。 |
| 3. |
分析及偵測組合式固相合成反應進行程度。 |
| 4. |
蛋白質與 ligand 錯合物之結構鑑定。 |
| 5. |
其它生物科技方面之研究。 |
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收費標準： |
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| 1. |
氫譜，500元/個/0.5小時 |
| 2. |
碳譜，1000元/個/2小時 |
| 3. |
長時間測試，白天：400元/時、整晚實驗 200元/時 |
| 4. |
變溫測試，每一溫度加收 200 元 |
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儀器放置地點： |
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中央大學科學三館一樓 |
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儀器性能： |
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| 1. |
Resolution : 40nm, 100nm, 200nm, 400nm |
| 2. |
Minimum feature : 0.5 μm |
| 3. |
Laser sources : 244nm, 363nm, 413nm, 442nm |
| 4. |
Substrates : glass, silicon or any other flat materials |
| 5. |
Exposure : photoresist |
| 6. |
Image size : 140mm x 140mm |
| 7. |
利用雷射直寫光罩或元件結構 |
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服務項目： |
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使用規範、公告 ( 煩請詳閱 )：在線上預約 ( 實驗件數請填欲製作之光罩片數 ) 之後，請至 "左欄->儀器管理作業->儀器預約申請表格" 下載並填寫申請單，再交由申請者之主管或指導教授簽名後，ㄧ併自行上傳 FTP 檔案，IP:140.115.72.55，帳號/密碼：mask，port:21，甫完成申請步驟；否則ㄧ週內將予以取消線上之預約。 |
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收費標準： |
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光罩製作 1片 7100 元 |
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儀器放置地點： |
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中央大學光電中心 |
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儀器性能： |
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| 1. |
Micofocus Monochromatic Al anode X-ray ( XPS, mapping ,depth profile ) |
| 2. |
場發射電子槍 ( 歐傑電子能譜 ) Field emission AUGER facility ( SEM ,SAM .depth profile ) |
| 3. |
紫外線光源 ( 紫外光電子能譜 ) UPS facility |
| 4. |
樣品準備室配備加熱冷卻裝置及高壓反應槽 ( preparation chamberfit with heating and cooling device and high pressure gas cell ) |
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服務項目： |
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ESCA : |
| 1. |
樣品表面全能譜掃描 |
| 2. |
樣品表面單元素氧化態分布能譜掃描 |
| 3. |
離子蝕擊下，各元素不同氧化態樣品表層之縱深分佈 |
| 4. |
元素在樣品表面之二維分布影像分析 |
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AES : |
| 1. |
樣品表面元素之分析 |
| 2. |
離子蝕擊下各元素之縱深分佈 |
| 3. |
元素在樣品表面之二維分布影像分析 |
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UPS : |
| 1. |
紫外光電子能譜測定 |
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樣本準備需知： |
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| 1. |
樣品不得具有磁性、毒性或輻射性 |
| 2. |
樣品須自行前處理乾淨，不得在真空下有揮發性物質放出 |
| 3. |
樣品若須儀器附件前置處理請先告知 |
| 4. |
粉體樣品需先打片 |
| 5. |
樣品高度不得超過 1cm, 面積不超過 0.5cm*0.5cm |
| 6. |
樣品分析完畢不歸還給送檢單位 |
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收費標準： |
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| 1. |
ESCA 表面元素分析：2500元/小時 |
| 2. |
ESCA 單元素能譜分析：2500元/小時 |
| 3. |
ESCA 縱深分布分析：2500元/小時 |
| 4. |
Auger 表面成份分析：2500元/小時 |
| 5. |
Auger 縱深分布分析：2500元/小時 |
| 6. |
Auger 元素影像掃描分析：2500元/小時 |
| 7. |
紫外光電子能譜分析：2500元/小時 |
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儀器放置地點： |
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中央大學工程五館 A-122 室 |
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儀器性能： |
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| 1. |
最大解析度可達 20,000。 |
| 2. |
最大偵測質量可達 2000 Daltons。 |
| 3. |
系統具正離子及負離子偵測能力，並可選擇作全掃描 ( Full scan ) 或加速電壓模式之選擇離子監測 ( SIR )。 |
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服務項目： |
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| 1. |
複雜物質的成分定性與定量測定，如藥物的新陳代謝物、植物中之生物鹼、高分子中添加物含量、環境污染物之測定等。 |
| 2. |
提供多方式進樣功能 ( 如 GC、FAB、DIP 等 ) 與離子化方式 ( 如 EI、CI )。 |
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收費標準： |
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| 1. |
DIP-EI：700元/小時 |
| 2. |
DIP-HREI：1500元/小時 |
| 3. |
DIP-CI：700元/小時 |
| 4. |
FAB：1200元/小時 |
| 5. |
HRFAB：2000元/小時 |
| 6. |
GC-HRMS：基本收費 1500 元，每增加半小時加收 500 元 |
| 7. |
ESI-MS：基本收費 1500 元，每增加半小時加收 500 元 |
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儀器放置地點： |
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中央大學化學系科二館 416 室 |
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儀器性能： |
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| 1. |
Focus Tuner for Load/Pull and Noise Measurement |
| 2. |
Agilent PNA、Signal Generator、Power Meter、Spectrum Analyzer、Noise Figure Analyzer |
| 3. |
Power Measurement from 10GHz to 65GHz |
| 4. |
Noise Measurement from 10GHz to 40GHz |
| 5. |
Input/Output Power range：- 30dBm ∼ 20dBm |
| 6. |
for Power: Power-Cell、Power Amplifier |
| 7. |
for Noise: Cell、Low Noise Amplifier |
| 8. |
參數 for Power: IV Curve、Power Contour、Output Power、Power Gain、P1dB、Power Efficiency |
| 9. |
參數 for Noise: S-parameter、NFmin、Associated Gain、Rn、Γopt |
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服務項目： |
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http://www.ncu.edu.tw/~osc/order.htm |
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儀器放置地點： |
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中央大學光電中心 |
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儀器性能： |
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| 1. |
德國 Bruker KAPPA APEX II |
| 2. |
X光產生器 2.0 KW |
| 3. |
晶系、晶格常數的測定 |
| 4. |
室溫或低溫繞射數據收集 |
| 5. |
解析晶體內部分子結構或原子排列 |
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服務項目： |
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| 1. |
晶系、晶格常數的測定 |
| 2. |
單晶繞射數據的測定以及單晶結構解析 |
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收費標準： |
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| 1. |
一般樣品處理費：500元/件 |
| 2. |
特殊樣品：500元/件 |
| 3. |
Indexing：500元/小時 |
| 4. |
室溫繞射數據收集：500元/小時 |
| 5. |
低溫繞射數據收集：1000元/小時 |
| 6. |
單晶結構解析：2000元/套 |
| 7. |
索取cif檔或調閱已歸檔資料：1000元/套 |
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儀器放置地點： |
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中央大學化學系科二館 408 室 |
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