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　　國立中央大學貴重儀器使用中心目前以材料鑒定、化學分析、半導體製程及通訊系統等四大領域為主軸，共計有11台儀器設備提供校內、外單位之良好服務如下：

•高解析掃描穿透式電子顯微鏡 (穿透式電子顯微鏡) •固態核磁共振光譜儀 •低真空掃描式電子顯微鏡
•液 ( 膠 ) 態核磁共振儀 •雷射光罩製作機 •超高真空場發射掃描式電子顯微鏡
•光電子能譜/歐傑電子能譜儀 •高效能質譜儀
•高頻功率與雜訊量測系統 •單晶X光繞射儀
•(低掠角/穿透式)小角度X光散射儀


 
儀器性能： 型號：JEM2100
 
1. 解析度︰格子像 ( Lattice Image )︰0.14nm、粒子像 ( Point Image )︰0.19nm
2. 試片座傾斜度︰±25°
3. 加速電壓：80~200KV
4. 放大倍率︰50~1.5M
5. 電子槍系統：LaB6 燈絲
6. 電子束直徑：最小0.5nm
服務項目：
 
1. 材料表面組織、斷面、微細組織、晶體結構及缺陷觀察分析
2. 全能譜定性(原子序B5~U92)及半定量分析(含EDS、Mapping、Linescan)
3. 電子繞射晶像判定
4. 數位影像系統，可作數位影像擷取及分析
5. 利用離子減薄機、凹片機供使用者薄化各種試片
樣本準備需知：(本機台不受理磁性、高分子、有機物等樣品)
 
1. 粉末採用鍍碳銅網200~300mesh,D:3mm
2. 材料薄化者厚度 1000nm,D:3mm
3. 試片製作由使用者自理
4. 樣品須乾燥，在真空無揮發性
收費標準：
 
1. TEM十繞射：3,000/時段 ( 操作以三小時為一時段計 )
2. 持有執照：2,000元/時段( 操作以三小時為一時段計 )
3. EDS+Mapping+Linescan：1,500元/時段( 操作以三小時為一時段計 )
4. 持有執照： 500元/時段( 操作以三小時為一時段計 )
儀器負責人員連絡方式：
 
儀器專家：李勝隆教授 (03) 4227151~34325
儀器專家：鄭紹良副教授 (03) 4227151~34233
技術人員：翁淑珍小姐 (03) 4227151~34009
儀器放置地點：
  中央大學工程五館 A114 室
 


 
儀器性能： 型號：JEM2000FXⅡ
 
1. 解析度︰格子像 ( Lattice Image )︰0.14nm、粒子像 ( Point Image )︰0.28nm
2. 試片座傾斜度︰±45°
3. 加速電壓：80~200KV
4. 放大倍率︰50~800K
5. 電子槍系統：LaB6orW 燈絲
6. 電子束直徑：1μm~2nm
服務項目：
 
1. 材料表面組織、斷面、微細組織、晶體結構及缺陷觀察分析
2. 全能譜定性(Na11~U92)及半定量分析
3. 電子繞射晶像判定
4. 利用離子減薄機、凹片機供使用者薄化各種試片
樣本準備需知：
 
1. 粉末採用鍍碳銅網 200~300mesh,D:3mm
2. 材料薄化者厚度 1000nm,D:3mm
3. 試片製作由使用者自理
4. 樣品須乾燥，在真空無揮發性
收費標準：
 
1. TEM十EDS：800/小時 ( 操作以三小時為一單位計 )
2. 持有執照：300元/小時 ( 操作以三小時為一單位計 )
3. 照片：100元/張
儀器負責人員連絡方式：
 
儀器專家：李勝隆教授 (03) 4227151~34325
儀器專家：鄭紹良副教授 (03) 4227151~34233
技術人員：翁淑珍小姐 (03) 4227151~34009
儀器放置地點：
  中央大學工程五館 A114 室
 

 
儀器性能：
 
1. 量測固態核磁共振光譜。
服務項目：
 
1. 1H，13C，29Si， 27Al，23Na，119Sn，11B，2H，7Li，51V，71Ga 等。
2. 2D 光譜。
3. 變溫實驗。
樣本準備需知：
  需粉末狀，約 0.3 至 0.5 克，視比重而定。若非粉末，需弄成大小相同之細小顆粒 ( 因需高旋轉，均勻度要夠)。
收費標準：
 
1. One pulse，半小時內 400 元，超過十分鐘加收 100 元
2. 去氫偶極實驗，半小時內 400 元，超過十分鐘加收 100 元
3. T1 and T2 measurements，半小時內 400 元，超過十分鐘加收 100 元
4. 交叉極化實驗 CP/MAS，半小時內 400 元，超過十分鐘加收 100 元
5. 變溫實驗，每一溫度加收 200 元
儀器負責人聯絡方式：
  儀器專家：高憲明教授 (03) 4227151~65932
技術人員：傅瑞珍小姐 (03) 4227151~65939
儀器放置地點：
  中央大學科四館 207
 

 
儀器性能：
 
1. LV-SEM主體：在一般及低真空下 ( 1-270 pa ) 對表面及立體結構之觀察及照相
2. 鍍金 ( 碳 ) 機：在樣品表面鍍導電金膜碳膜
3. EDS 系統：分析樣品之元素 ( B-U )
4. EBSD 系統：決定樣品中小區域晶體結構
5. 冷凍樣品座：快速冷凍樣品及 in-situ 鍍膜用
6. 樣品加熱座：in-situ 樣品加熱
服務項目：
 
1. SEM ( SEI,BEI )
2. EDS 全能譜
3. EDS Mapping
4. EDS Line-scan
5. EDS元素半定量分析
6. 鍍金 ( 碳 )
7. Cryogenic Stage
8. Heating Stage
9. EBSD Analysis
10. Low Vacuum 觀察
樣本準備需知：
 
1. 樣品面積高＜1cm，直徑＜2cm
2. 樣品如為粉末狀，須先處理過 ( 熱鑲、壓塊、濾紙過濾 … 等 )
3. 使用者第一次預約須與管理員討論樣品處理問題
收費標準：
 
1. SEM 觀察，每時段 ( 三小時 ) 2400元
2. EDS 全能譜，每份報告 500 元
3. EDS Mapping，每份報告 1000 元
4. EDS Line-scan，每份報告 500 元
5. EDS 元素半定量分析，每份報告 1000 元
6. 鍍金 ( 碳 )，每批 600 元
7. Cryogenic Stage，每次 1000 元
8. Heating Stage，每 1000 元
9. EBSD Analysis，每一區域每次 2000 元
儀器負責人聯絡方式：
  儀器專家：林景崎教授 (03) 4227151~34328
技術人員：林靜典小姐 (03) 4227151~34010
儀器放置地點：
  中大工程五館 A 棟1F 117室
 

 
儀器性能：
 
1. UltraShield magnet/shim
2. RF section
3. multlink HPPR preamplifier system
4. digital control and acquistion system
5. digital quadrature detection
6. multinuclear transmitter system
7. variable temperature unit
8. BBO BB probe with ATM
9. Dual inverse HRMAS probe
10. software-XWINNMR
服務項目：
 
1. 化學感應材料。對象以有機分子及高分子為主。
2. 從事新合成材料的結構鑑定研究。
3. 分析及偵測組合式固相合成反應進行程度。
4. 蛋白質與 ligand 錯合物之結構鑑定。
5. 其它生物科技方面之研究。
收費標準：
 
1. 氫譜，500元/個/0.5小時
2. 碳譜，1000元/個/2小時
3. 長時間測試，整晚實驗 300元/時
4. 磷譜，1000元/個/0.5小時
5. Cosy(2D實驗)，1800元/個/1小時
6. HMQC(2D實驗)，2000元/個/3小時
儀器負責人聯絡方式：
  儀器專家：陳銘洲教授 (03) 4227151~65943
技術人員：陳秀鑾小姐 (03) 4227151~65935、65942
儀器放置地點：
  中央大學科學三館一樓104室
 

 
儀器性能：
 
1. Resolution : 40nm, 100nm, 200nm, 400nm
2. Minimum feature : 0.5 μm
3. Laser sources : 244nm, 363nm, 413nm, 442nm
4. Substrates : glass, silicon or any other flat materials
5. Exposure : photoresist
6. Image size : 140mm x 140mm
7. 利用雷射直寫光罩或元件結構
服務項目：
  使用規範、公告 ( 煩請詳閱 )：在線上預約 ( 實驗件數請填欲製作之光罩片數 ) 之後，請至 "左欄->儀器管理作業->儀器預約申請表格" 下載並填寫申請單，再交由申請者之主管或指導教授簽名後，ㄧ併自行上傳 FTP 檔案，IP:140.115.72.55，帳號/密碼：mask，port:21，甫完成申請步驟；否則ㄧ週內將予以取消線上之預約。
收費標準：
  光罩製作 1片 7100 元
儀器負責人聯絡方式：
  儀器專家：許晉瑋教授 (03) 4227151~34466
技術人員：陳瑞紅小姐 (03) 4227151~57910
儀器放置地點：
  中央大學電機系419室
 

 
儀器性能：
 
1. UHR FE-SEM主體：超高真空、低真空、BEI樣品表面及立體結構之觀察。
2. 鍍金(碳)機：在樣品表面鍍導電金膜、碳膜
3. EDS 系統：分析樣品之元素
服務項目：
 
1. SEM ( SEI,BEI )
2. EDS 全能譜
3. EDS Mapping
4. EDS Line-scan
5. EDS元素半定量分析
6. 鍍金 ( 碳 )
7. 超高真空樣品表面及立體結構之觀察
8. 低真空樣品表面及立體結構之觀察
樣本準備需知：
 
1. 樣品面積使用者對試片必需詳細說明試片之材料種類、製作方式與溶劑種類，減少儀器不必要的污染。
SEM機台對於送測樣品應該具有適當、足夠的機械強度，以避免在進出電鏡、或在檢測的操作過程中，發生剝落、脆裂的狀況。
2. 拒絕受理之材料:
低熔點的材料如: 銦、錫、鎵等，會產生相變及蒸鍍效應。
在電子束照射下會分解、或釋出氣體之樣品如有機物、高分子等。避免影響真空之虞。
具強磁性或易被電磁透鏡吸引的粉末型式樣品或材料。
含有水份未經正確處理或充分乾燥的樣品。
粉末樣品，未預先鑲埋不接受檢測。(請以樹脂鑲埋 較不建議用電木鑲埋)
3. 使用者第一次預約須與管理員討論樣品處理問題
收費標準：
 
1. SEM 觀察，每時段 ( 三小時 ) 6000元
2. EDS 元素半定量分析，每份報告 1000 元
3. EDS Mapping(含定性、半定量)，每份報告 1500 元
4. EDS Line-scan(含定性、半定量)，每份報告 1500 元
5. EDS Mapping及Line-scan分析，每份報告 2000 元
6. 鍍金 ( 碳 )，每批 600 元
儀器負責人聯絡方式：
  儀器專家：林景崎教授 (03) 4227151~34328
陳一塵教授 (03) 4227151~34907
技術人員：林靜典小姐 (03) 4227151~34010
儀器放置地點：
  中大工程五館 A 棟1F 121-2室
 

 
儀器性能：
 
1. Micofocus Monochromatic Al anode X-ray ( XPS, mapping ,depth profile )
2. 場發射電子槍 ( 歐傑電子能譜 ) Field emission gun(AUGER facility) SAM .depth profile
3. 紫外線光源 ( 紫外光電子能譜 ) UPS facility
4. 樣品準備室配備加熱冷卻裝置及高壓反應槽 ( preparation chamber fit with heating and cooling device and high pressure gas cell )
服務項目：
 
  ESCA :
1. 樣品表面全能譜掃描
2. 樣品表面單元素氧化態分布能譜掃描
3. 離子蝕擊下，各元素不同氧化態樣品表層之縱深分佈
4. 元素在樣品表面之二維分布影像分析
  AES :
1. 樣品表面元素之分析
2. 離子蝕擊下各元素之縱深分佈
3. 元素在樣品表面之二維分布影像分析
  UPS :
1. 紫外光電子能譜測定
樣本準備需知：
 
1. 樣品不得具有磁性、毒性或輻射性
2. 樣品須自行前處理乾淨，不得在真空下有揮發性物質放出
3. 樣品若須儀器附件前置處理請先告知
4. 粉體樣品需先打片
5. 樣品高度不得超過 1cm, 面積不超過 0.5cm*0.5cm
6. 樣品分析完畢不歸還給送檢單位
收費標準：
 
1. ESCA 表面元素分析：2500元/小時
2. ESCA 單元素能譜分析：2500元/小時
3. ESCA 縱深分布分析：2500元/小時
4. Auger 表面成份分析：2500元/小時
5. Auger 縱深分布分析：2500元/小時
6. Auger 元素影像掃描分析：2500元/小時
7. 紫外光電子能譜分析：2500元/小時
儀器負責人聯絡方式：
  儀器專家：劉正毓教授 (03) 4227151~34228
技術人員：黃瑞梅小姐 (03) 4227151~34007
儀器放置地點：
  中央大學工程五館 A-122 室
 

 
儀器性能：
 
1. 最大解析度可達 20,000。
2. 最大偵測質量可達 2000 Daltons。
3. 系統具正離子及負離子偵測能力，並可選擇作全掃描 ( Full scan ) 或加速電壓模式之選擇離子監測 ( SIR )。
服務項目：
 
1. 複雜物質的成分定性與定量測定，如藥物的新陳代謝物、植物中之生物鹼、高分子中添加物含量、環境污染物之測定等。
2. 提供多方式進樣功能 ( 如 GC、FAB、DIP 等 ) 與離子化方式 ( 如 EI、CI )。
收費標準：
 
1. DIP-EI：700元/小時
2. DIP-HREI：1500元/小時
3. DIP-CI：700元/小時
4. FAB：1200元/小時
5. HRFAB：2000元/小時
6. GC-HRMS：基本收費 1500 元，每增加半小時加收 500 元
7. ESI-MS：基本收費 1500 元，每增加半小時加收 500 元
儀器負責人聯絡方式：
  儀器專家：丁望賢教授 (03) 4227151~65905
技術人員：陳秀鑾小姐 (03) 4227151~65935、65942
儀器放置地點：
  中央大學化學系科二館 416 室
 

 
儀器性能：
 
1. Focus Tuner for Load/Pull and Noise Measurement
2. Agilent PNA、Signal Generator、Power Meter、Spectrum Analyzer、Noise Figure Analyzer
3. Power Measurement from 10GHz to 65GHz
4. Noise Measurement from 10GHz to 40GHz
5. Input/Output Power range：- 30dBm ∼ 20dBm
6. for Power: Power-Cell、Power Amplifier
7. for Noise: Cell、Low Noise Amplifier
8. 參數 for Power: IV Curve、Power Contour、Output Power、Power Gain、P1dB、Power Efficiency
9. 參數 for Noise: S-parameter、NFmin、Associated Gain、Rn、Γopt
服務項目：
  http://www.ncu.edu.tw/~osc/order.htm
儀器負責人聯絡方式：
  儀器專家：邱煥凱教授 (03) 4227151~34467
技術人員：陳冠宇先生 (03) 4227151~34571
儀器放置地點：
  中央大學光電中心
 

 
儀器性能：
 
1. 德國 Bruker KAPPA APEX II
2. X光產生器 2.0 KW
3.

測量單晶繞射數據，用以解析晶體結構（晶體內部分子結構或原子排列）
服務項目：
 
一般服務：
1. 晶系、晶格常數的測定
2. 單晶繞射數據的測定以及單晶結構解析
特殊服務：
1. 以合作方式作結構解析
收費標準：
 
晶格常數的測定：
1. 樣品處理：500元/件
2. Indexing：500元/小時
3. 室溫繞射數據測定：500元/小時
4. 低溫繞射數據測定：1000元/小時
結構解析：
1. 以實際進行精算之原子數目來估計使用電腦時間及磁碟空間，每個原子以50元計，特殊困難或耗時之結構解析費用另計。
2. XP繪圖：2000元/件
儀器負責人聯絡方式：
  儀器專家：李光華教授 (03) 4227151~57100
技術人員：張文中博士 (03) 4227151~65926、65931
儀器放置地點：
  中央大學化學系科二館 408 室
 
(低掠角/穿透式)小角度X光散射儀
(Grazing Incidence/Transmission Small-angel X-ray Scattering)
 
請參照：http://www.ncu.edu.tw/~ncu7020/instrument.php#36
 

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